عامل اقتران سيلان الفينيل، HP-172/KBC-1003 (Shin-Etsu)، رقم CAS 1067-53-4، الفينيل ثلاثي (2-ميثوكسييثوكسي)
الاسم الكيميائي
الفينيل ثلاثي (2-ميثوكسييثوكسي)
الصيغة الهيكلية
CH2=CHSi (OCH2CH2OCH3)3
اسم المنتج المعادل
A-172 (كرومبتون)، VTMOEO (ديجوسا)، KBC-1003 (شين إيتسو)، S230 (شيسو)
CAS رقم
1067-53-4
الخصائص الفيزيائية
سائل أصفر عديم اللون أو شاحب، قابل للذوبان في الكحول الإيثيلي والأسيتون والبنزين وإيثيل إيثر ورابع كلوريد الكربون وما إلى ذلك، غير قابل للذوبان في الماء، ولكنه يتحلل عند ملامسته للماء أو الرطوبة.نقطة الغليان هي 285 درجة مئوية، والوزن الجزيئي هو 280.4.
تحديد
| محتوى HP-172 (%) | ≥ 98.0 |
| الكثافة (جم/سم3) (25°C) | 1.040 ± 0.020 |
| معامل الانكسار (25 درجة مئوية) | 1.430 ± 0.050 |
مدى التطبيق
• HP172 هو نوع من السيلان متعدد الوظائف، يمكنه التفاعل مع كل من الحشو غير العضوي والبوليمرات.
• يمكنه تعديل مسحوق هيدروكسيدات الألومنيوم وهيدروكسيدات المغنيسيوم الناعم الذي يحتوي على مساحة سطح كبيرة ونشاط سطحي وامتصاص عالي.لذلك يمكنها حل مشاكل مثل التكتل، والتعديل غير الكافي، والتشتت غير المتساوي.يتم الآن استخدام العامل النشط المضاد للاشتعال بدون الهالوجين باستخدام HP172 على نطاق واسع لمنع الأسلاك والكابلات ومفاتيح الأجهزة الإلكترونية والبلاستيك الهندسي ومواد الديكور والطلاء والأقمشة.
• في صناعة الأسلاك والكابلات، يمكن استخدامه لمعالجة حشوات مواد تصنيع البولي إيثيلين المتشابكة بحيث تجعل سطح الحشو كارهًا للماء، وتمنع السطح البيني من امتصاص الرطوبة، وتحسين قابلية معالجة المواد البلاستيكية المملوءة وتوافق البوليمرات مع الحشو، وتوفير تشتت أفضل، وتقليل لزوجة المنتجات المطاطية.يمكنها أيضًا تحسين الخواص الكهربائية والميكانيكية للطبقة العازلة من الكابلات، وتقصير وقت الخلط، والبثق بسرعة وتحسين مقاومة الكشط لقولبة البثق.
• يمكن استخدامه لزيادة التصاق طلاء استر حمض الكريليك وسطح الحشو غير العضوي.
• يمكن إنتاج عامل التصاق وطلاء مانع للتسرب مع قدرة جيدة على مقاومة الماء والحرارة عن طريق خلط HP172 وأنواع قليلة من المونومرات.
الجرعة
الجرعة الموصى بها: 1.0-4.0 PHR
الحزمة والتخزين
1. الحزمة: 25 كجم أو 200 كجم في براميل بلاستيكية.
2. تخزين مختوم: يُحفظ في أماكن باردة وجافة وجيدة التهوية.
3. عمر التخزين: أطول من سنة واحدة في ظروف التخزين العادية.
